- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FDP7N60NZ-VB
N沟道；电压：600V；电流：8A；导通电阻：780(mΩ)
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；TO220；N—Channel沟道；600V；8A；RDS(ON)=780(mΩ)@VGS=10V；VGS=±30V；Vth=3.5V；采用Planar技术；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- FDP7N60NZ-VB
- 商品编号
- C54177026
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 780mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 170W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 49nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7.1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 180pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品特性
- 低栅极电荷Qg，驱动要求简单
- 改善了栅极、雪崩和动态dV/dt的坚固性
- 具备完整的电容、雪崩电压和电流特性
- 符合RoHS标准的N沟道MOSFET
应用领域
- 开关模式电源（SMPS）
- 不间断电源
- 高速功率开关
- 有源钳位正激电路
- 主开关