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HG24C16MT-852/TR
I2C兼容串行EEPROM，单电源电压，高速模式，低功耗CMOS技术，具备多种读写特性和高可靠性
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- 描述
- I2C-Compatible Serial E2 PROM
- 品牌名称
- HGSEMI(华冠)
- 商品型号
- HG24C16MT-852/TR
- 商品编号
- C54140472
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.16976克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | EEPROM | |
| 接口类型 | I2C | |
| 存储容量 | 16Kbit | |
| 时钟频率(fc) | 1MHz | |
| 写周期时间(Tw) | 5ms |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 数据保留 - TDR(年) | 100年 | |
| 写周期寿命 | 100万次 | |
| 功能特性 | 硬件写保护功能；内置上电复位(POR)；噪声抑制功能 | |
| 工作电压 | 1.7V~5.5V | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
商品概述
HG24C08/HG24C16是与I²C兼容的串行EEPROM（电可擦除可编程存储器）设备。它包含一个8 Kbits（1 Kbytes）/16 Kbits（2 Kbytes）的存储阵列，每页16字节。
商品特性
- 单电源电压和高速模式
- 最低工作电压低至1.7V
- 从1.7V到5.5V提供400kHz/1MHz时钟
- 低功耗CMOS技术
- 读取电流0.2mA（400kHz，典型值）
- 写入电流0.8mA（400kHz，典型值）
- 施密特触发器，带滤波输入以抑制噪声
- 顺序和随机读取功能
- 页面写入模式，允许部分页面写入
- 整个存储阵列的写保护
- 额外的可写锁定页面
- 自定时写入周期（最长5ms）
- 高可靠性
- 耐久性：100万次写入周期
- 数据保存时间：100年
- 人体模型静电放电（HBM）：4kV
- 闩锁能力：±200mA（25°C）
- 封装：DIP - 8、SOP - 8、TSSOP - 8、SOT - 23 - 5、DFN - 8、MSOP - 8