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FDD3672
1个N沟道 耐压:100V 电流:50A
- 描述
- 使用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。适用于电池保护或其他开关应用。
- 品牌名称
- Leiditech(雷卯电子)
- 商品型号
- FDD3672
- 商品编号
- C5128399
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.42克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 85W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 39nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 250pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
- 漏极电流 - ID = 60A（环境温度 TC = 25°C 时）
- 漏源电压 - VDSS = 60V（最小值）
- 快速开关速度
- 经过 100% 雪崩测试
- 批次间差异极小，确保器件性能稳定、运行可靠
应用领域
- 专为低电压、高速应用而设计-斩波稳压器、DC-DC 转换器和电机驱动应用