温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STD47N10F7AG
N沟道增强型MOSFET 耐压:100V 电流:50A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 采用先进的沟槽技术，提供优异的导通电阻 (RDS(ON))、低栅极电荷，并可在低至 4.5V 的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
- 品牌名称
- Leiditech(雷卯电子)
- 商品型号
- STD47N10F7AG
- 商品编号
- C5128401
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.42克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 85W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 39nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2nF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 250pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 低导通电阻。
- 高功率小尺寸封装（HUML2020L8）。
- 无铅引脚镀层；符合 RoHS 标准。
- 无卤素。
应用领域
- 开关
- 负载开关
相似推荐
其他推荐