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RSFD1702N
RSFD1702N
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- 描述
- RSFD1702N是一款高性能双工器，专为LTEBand3(1710MHz~1785MHzTX,1805MHz~1880MHzRX)应用设计。采用ROFS的薄膜体声波谐振器(FBAR)技术，提供高Q值滤波器，满足低插入损耗、高回波损耗、减少发射端口损耗和高带外衰减的要求。
- 品牌名称
- ROFS(诺思)
- 商品型号
- RSFD1702N
- 商品编号
- C5123301
- 商品封装
- SMD,1.2x1.6mm
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 双工器 | |
| 低频带衰减(Min) | 30dB | |
| 高频带衰减(Min) | 48dB | |
| 工作温度 | -20℃~+85℃ |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 低频带范围 | 1710MHz~1785MHz | |
| 高频带范围 | 1805MHz~1880MHz | |
| 低频带插入损耗(Max) | 3dB | |
| 高频带插入损耗(Max) | 3.5dB |
商品概述
RSFD1702N是一款高性能双工器，专为LTE 3频段（1710~1785 MHz发射，1805~1880 MHz接收）应用而设计。 RSFD1702N采用ROFS的薄膜体声波谐振器（FBAR）技术设计，该技术提供高Q值滤波器，满足低插入损耗、高回波损耗（降低发射端口损耗）、高带外衰减的要求。 RSFD1702N采用芯片级封装（CSP）技术，将滤波器组装成模压板上芯片模块，尺寸为1.6 mm × 1.2 mm，高度为0.6 mm。
商品特性
- 超小尺寸：1.6 mm×1.2 mm×0.6 mm
- 插入损耗：
- 发射典型值2.1dB
- 接收典型值2.6dB
- 收发隔离度：
- 发射通带典型值55dB
- 接收通带典型值56dB
- 发射输入功率：
- +29dBm连续波，55℃，5000小时
- ESD保护能力：人体模型（HBM）1C级
- 湿度敏感度：MSL3
- 存储温度：-40至+85 ℃
优惠活动
购买数量
(5000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个5000个/圆盘
近期成交1单