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NCE40TD65BT
650V、40A 沟槽式 FS II 快速绝缘栅双极型晶体管（IGBT）
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- 描述
- 采用新洁能（NCE）专有的沟槽设计和先进的第二代场截止（FS）技术，650V沟槽场截止II代（Trench FS II）绝缘栅双极晶体管（IGBT）具备卓越的导通和开关性能，且易于并联运行。
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE40TD65BT
- 商品编号
- C5122484
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.8克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 80A | |
| 耗散功率(Pd) | 286W | |
| 输出电容(Coes) | 136pF | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 160A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.9V@40A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 176nC@15V | |
| 输入电容(Cies) | 4.894nF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 19ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 168ns | |
| 导通损耗(Eon) | 580uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 480uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 242ns | |
| 反向传输电容(Cres) | 94pF |
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