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BUK7D25-40EX
40V 19A
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- 描述
- N沟道增强型场效应晶体管（FET），采用沟槽MOSFET技术，采用中功率DFN2020MD-6（SOT1220）表面贴装器件（SMD）塑料封装。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- BUK7D25-40EX
- 商品编号
- C549861
- 商品封装
- DFN-6-MD(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 19A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 15W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 460pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 64pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这款HEXFET®功率MOSFET专为等离子显示屏（PDP）的维持、能量回收和通路开关应用而设计。该MOSFET采用最新的工艺技术，以实现每单位硅面积的低导通电阻和低脉冲能量额定值。这款MOSFET的其他特性包括150°C的工作结温和高重复峰值电流能力。这些特性相结合，使该MOSFET成为PDP驱动应用中高效、耐用且可靠的器件。
商品特性
- 扩展温度范围 Tj = 175℃
- 可侧面焊锡浸润,便于光学焊锡检查
- 小型无引脚超薄SMD塑料封装:2 x 2 x 0.65 mm
- 沟槽MOSFET技术
- 通过AEC-Q101认证
应用领域
-继电器驱动器-高速线路驱动器-低端负载开关-开关电路