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BUK7K15-80EX实物图
  • BUK7K15-80EX商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

BUK7K15-80EX

2个N沟道 耐压:80V 电流:23A

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描述
双标准电平 N 沟道 MOSFET,采用 TrenchMOS 技术,封装为 LFPAK56D(双功率 SO8)。该产品已按照 AEC-Q101 标准进行设计和鉴定,适用于高性能汽车应用。
品牌名称
Nexperia(安世)
商品型号
BUK7K15-80EX
商品编号
C549873
商品封装
LFPAK56D​
包装方式
编带
商品毛重
0.190969克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)80V
连续漏极电流(Id)23A
导通电阻(RDS(on))11.2mΩ@10V
耗散功率(Pd)68W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))-
栅极电荷量(Qg)35.1nC@10V
输入电容(Ciss)2.457nF
反向传输电容(Crss)158pF
工作温度-55℃~+175℃

商品概述

采用TrenchMOS技术、封装为LFPAK56D(双Power-SO8)的双路标准电平N沟道MOSFET。该产品已依据AEC-Q101标准进行设计和认证,适用于高性能汽车应用。

商品特性

  • 双路MOSFET
  • 符合AEC-Q101标准
  • 具备重复雪崩额定值
  • 额定温度达175°C,适用于对散热要求较高的环境
  • 真正的标准电平栅极,在175°C时VGS(th)额定值大于1 V

应用领域

  • 12 V、24 V和48 V汽车系统
  • 电机、灯具和螺线管控制
  • 变速器控制
  • 超高性能功率开关

数据手册PDF