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SLD65R380E7
1个N沟道 耐压:650V 电流:11A
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- 品牌名称
- Maplesemi(美浦森)
- 商品型号
- SLD65R380E7
- 商品编号
- C5119918
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.48克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 318mΩ@10V,4A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功率(Pd) | 87W | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@0.8mA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 15.5nC@400V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 920pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款功率MOSFET采用Maple semi先进的平面条纹超结技术制造。这项先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
商品特性
- 11A、650V,RDS(on)典型值 = 0.318Ω @ VGS = 10V
- 低栅极电荷(典型值15.5nC)
- 高耐用性
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力