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SLF65R280E7
1个N沟道 耐压:650V 电流:15A
- 品牌名称
- Maplesemi(美浦森)
- 商品型号
- SLF65R280E7
- 商品编号
- C5119917
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.97克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 280mΩ@10V,7.5A | |
| 功率(Pd) | 30W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 19.6nC@400V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 780pF@400V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 37pF@400V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
BPMS04N003M采用超级沟槽技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的RDS(ON)和Qg组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流应用。 BPMS04N003M采用DFN5*6封装。
商品特性
- 15A、650V,VGS = 10V时,RDS(on)典型值 = 0.28Ω
- 低栅极电荷(典型值19.6nC)
- 更低的栅极电阻
- 经过100%雪崩测试
- 无铅且符合RoHS标准