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SE80100G
80V 100A TO-263
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- 描述
- 高密单元设计，实现超低导通电阻；完全表征雪崩电压和电流；改善直通品质因数；驱动要求简单；封装外形小；表面贴装器件
- 品牌名称
- SINO-IC(光宇睿芯)
- 商品型号
- SE80100G
- 商品编号
- C5116038
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.82克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.9mΩ@10V,40A | |
| 耗散功率(Pd) | 125W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 58nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.12nF@40V | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
优惠活动
购买数量
(800个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个800个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交2单
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