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SE100130G

100V 130A TO-263

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描述
该产品采用先进的半导体技术和设计,提供出色的导通电阻(RDS(ON)),具有低栅极电荷和低工作电压。它适用于多种应用场景,拥有出色的封装以实现卓越的热阻性能,采用优化技术用于DC/DC转换器,且易于使用和并联。
商品型号
SE100130G
商品编号
C5116039
商品封装
TO-263​
包装方式
编带
商品毛重
1.87克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)130A
导通电阻(RDS(on))4.3mΩ@10V,40A
耗散功率(Pd)285W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)56nC@10V
输入电容(Ciss)3.65nF@50V
反向传输电容(Crss)88pF
工作温度-55℃~+175℃

数据手册PDF

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