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SE100130G
100V 130A TO-263
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- 描述
- 该产品采用先进的半导体技术和设计，提供出色的导通电阻（RDS(ON)），具有低栅极电荷和低工作电压。它适用于多种应用场景，拥有出色的封装以实现卓越的热阻性能，采用优化技术用于DC/DC转换器，且易于使用和并联。
- 品牌名称
- SINO-IC(光宇睿芯)
- 商品型号
- SE100130G
- 商品编号
- C5116039
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.87克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 130A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 285W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 56nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 3.65nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 88pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 290pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |