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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

8205A-GM

N沟道增强型MOS场效应晶体管,采用先进沟槽技术,适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路

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描述
8205A-GM是一款广泛应用于电源管理、电池保护和便携式电子设备中的‌双N沟道MOSFET‌,因其低导通电阻、小封装和高可靠性,成为锂电池保护板等场景的主流选择
品牌名称
GMIC(绿微)
商品型号
8205A-GM
商品编号
C53696809
商品封装
SOT-23-6​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)9A
导通电阻(RDS(on))75mΩ@1.8V
耗散功率(Pd)2W
阈值电压(Vgs(th))1.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)8.11nC@10V
输入电容(Ciss)522.3pF
反向传输电容(Crss)74.69pF
工作温度-55℃~+150℃
配置共漏
类型N沟道
输出电容(Coss)-

商品概述

8205A是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,以提供出色的低导通电阻(Rds(on))和低栅极电荷。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。

商品特性

  • 快速开关能力
  • 规定雪崩能量
  • 改善的dv/dt能力,高耐用性

应用领域

  • 电源开关应用
  • 负载开关

数据手册PDF