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D8V0X1B2LP-TP实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

D8V0X1B2LP-TP

低电容双向ESD二极管,适用于射频信号ESD保护

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商品型号
D8V0X1B2LP-TP
商品编号
C53477671
商品封装
DFN1006-2​
包装方式
编带
商品毛重
0.00997克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静电和浪涌保护(TVS/ESD)
极性双向
反向截止电压(Vrwm)8V
钳位电压15V
峰值脉冲电流(Ipp)5A
属性参数值
峰值脉冲功率(Ppp)100W@8/20us
击穿电压(VBR)10V
通道数单路
类型ESD
Cj-结电容0.25pF

商品特性

  • 低工作电压:8V
  • 超低电容:0.25pF(典型值)
  • 超低泄漏电流:纳安级别
  • 低钳位电压
  • IEC 61000 - 4 - 2(ESD)抗扰度测试:空气放电 ±30kV,接触放电 ±30kV
  • IEC 61000 - 4 - 4(EFT):40A(5/50ns)
  • IEC 61000 - 4 - 5(闪电):5A(8/20μs)
  • 2引脚无铅封装
  • 这些是无铅器件
  • 响应时间通常 < 1ns

应用领域

  • 手机及配件
  • 个人数字助理
  • RF信号ESD保护
  • 近场通信
  • 有源天线ESD保护

数据手册PDF