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JSM6288T-SFD
集成二极管的三相桥同相栅极驱动器，具有浮动通道设计、欠压锁定和防直通功能
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- 描述
- 集成二极管 三相高低侧功率驱动芯片 驱动配置：高低侧 负载类型：MOSFET；IGBT 含自举二极管 电源电压：8V~20V 峰值灌电流：1.5A 峰值拉电流：1.8A 带上下电保护、欠压保护 。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- JSM6288T-SFD
- 商品编号
- C53373547
- 商品封装
- TSSOP-20
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 低边；高边；三相 | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | |
| 驱动通道数 | - | |
| 灌电流(IOL) | 1.4A | |
| 拉电流(IOH) | 1.2A | |
| 工作电压 | 5V~20V | |
| 上升时间(tr) | 40ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 下降时间(tf) | 15ns | |
| 传播延迟 tpLH | - | |
| 传播延迟 tpHL | - | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输入高电平(VIH) | - | |
| 输入低电平(VIL) | - | |
| 静态电流(Iq) | 700uA |
商品概述
JSM6288是一款三相高压功率MOSFET和IGBT栅极驱动器，可驱动高端和低端功率晶体管的栅极。浮动通道驱动设计可承受高达250V的总线电压。
JSM6288的输出可提供较大的驱动能力，输出拉灌电流可达1.0A/1.4A。JSM6288的工作电压范围宽，高端和低端栅极驱动电压均可优化，以实现最佳驱动效率。内部直通和死区电路可防止两个晶体管同时运行，进一步降低开关损耗。JSM6288的欠压锁定功能可确保在电源电压较低时，两个驱动器的输出均为低电平。JSM6288集成了自举二极管，可最大限度地优化芯片外围电路。JSM6288T采用TSSOP20封装，JSM6288Q采用QFN 24封装，可在-40℃至125℃的温度范围内工作。
JSM6288是一款三相高压、高速功率MOSFET高低端驱动芯片，具有独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达250V的N沟道功率MOSFET。浮动通道需要额外的自举电路支持。
此外，JSM6288集成了自举二极管，可优化芯片的外围电路，并且高端和低端均包括欠压保护。
商品特性
- 为自举操作设计的浮动通道
- 可完全工作至+250V
- 3.3V、5V和15V输入逻辑兼容
- dV/dt噪声抗扰度±50V/ns
- 允许的负Vs能力：-9V
- 栅极驱动电源范围从5V到25V
- 高端和低端欠压锁定电路 - 欠压锁定正向阈值为4.5V - 欠压锁定负向阈值为4.3V
- 交叉导通防止逻辑 - 死区时间：200ns
- 芯片传输延迟特性 - 导通/关断传输延迟Ton/Toff = 150ns/150ns - 延迟匹配时间小于50ns
- 两个通道的传播延迟匹配
- 宽工作温度范围 -40°C ~ 125°C
- 典型输出源/灌电流能力：1.2A/1.5A
- 集成自举二极管
- TSSOP20和QFN24封装
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电机控制
- 电机控制
- 通用逆变器
- 微型/小型逆变器驱动器
- 电动工具
- 电动汽车/无人机