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BCT65N27M1
N沟道碳化硅功率MOSFET，具备高开关速度、快速本征二极管和强雪崩能力
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- 描述
- SiC MOSFET,650V,27mΩ
- 商品型号
- BCT65N27M1
- 商品编号
- C53368050
- 商品封装
- TOLL-8
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 84A | |
| 耗散功率(Pd) | 349W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 91nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.853nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 207pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ |
商品特性
- 高开关速度和低栅极电荷
- 快速本征二极管和低反向恢复特性
- 强大的雪崩能力，经过100%雪崩测试
- 无铅、无卤素且符合RoHS标准
应用领域
- 服务器和电信电源
- 电动汽车充电站
- 太阳能逆变器/储能系统/不间断电源
- 工业电源
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