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20N06-Q
N沟道增强型功率MOSFET，具备低导通电阻和卓越开关性能，适用于低压应用
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- 品牌名称
- QNHCHIP(乾能惠)
- 商品型号
- 20N06-Q
- 商品编号
- C53338303
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.34克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 676pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 51pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 70pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
20N06-Q是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用NSD先进技术，为客户提供最小导通电阻和卓越的开关性能。它还能在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。20N06-Q广泛应用于低电压领域，如汽车、DC/DC转换器的高效开关和直流电机控制。
商品特性
- RDS(ON) ≤ 50 mΩ，条件为VGS = 10V，ID = 5.0A
- RDS(ON) ≤ 65 mΩ，条件为VGS = 4.5V，ID = 5.0A
- 高开关速度
应用领域
- 汽车
- DC/DC转换器的高效开关
- 直流电机控制