温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
50N06-Q
N沟道功率MOSFET，具备低导通电阻和卓越开关性能，适用于低功率开关模式电器和电子镇流器
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- QNHCHIP(乾能惠)
- 商品型号
- 50N06-Q
- 商品编号
- C53338304
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 51W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 56nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.315nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 144pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 181pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
50N06 - Q是一款N沟道功率MOSFET，采用NSD的先进技术，为客户提供最低导通电阻和卓越的开关性能。50N06 - Q通常应用于低功率开关模式电源设备和电子镇流器。
商品特性
- RDS(ON) ≤ 15 mΩ（VGS = 10V，ID = 25A）；RDS(ON) ≤ 20 mΩ（VGS = 4.5V，ID = 25A）
- 高开关速度
- 改善的dv/dt能力
应用领域
低功率开关模式电源设备、电子镇流器