MX5050TL10R17

MX5050TL10R17是一款集成了理想二极管控制器和100V 260A MOS的功率模块，可代替传统肖特基二极管。肖特基二极管广泛用于电源系统设计，能在各种输入电源故障条件下提供保护，并通过并联电源提供系统冗余。汽车电源系统使用功率肖特基二极管，可在电池反向和各种汽车电气瞬变条件下提供保护。工业系统传统上采用肖特基二极管提供反极性保护，防止现场电源接线错误，并提供对雷击和工业浪涌的抗扰能力。常用的工业系统、电信服务器、存储和基础设施设备均采用肖特基二极管来提供系统冗余，或通过对两个或更多电源采用Oring电路来增加功率容量。然而，肖特基二极管的正向压降会在大电流下产生显著的功率损耗，需要使用散热器和更大PCB空间进行热管理，降低了效率，增加了系统成本和空间。随着系统功率水平的提高和功率密度需求的增加，肖特基二极管不再是新一代高性能系统设计的优先选择。

该模块能够代替大功率30~100A、100V的肖特基二极管，产品尺寸更小，可靠性更高，压降低、功耗小，反向截至时间快，能够提高电源ORing应用的效率和性能。

MX5050TL10R17高侧OR-ing模块是由集成100V的理想二极管控制器和100V 1.7mΩ N-MOSFET构成的功率模块，采用紧凑的TOLL封装，当与电源串联时，可用作理想的二极管整流器。

该MX5050TL10R17可连接到5V ~ 90V的电源，并可承受高达100V的瞬态电压。

MX5050TL10R17高侧OR-ing模块集成了一个N-MOSFET，与电源串联时可作为理想的二极管整流器。该OR-ing模块使内部MOSFET能够取代配电网络中的二极管整流器，减少功率损耗和电压降。

MX5050TL10R17为内部N沟道MOSFET提供电荷泵栅极驱动，并提供快速响应比较器，当电流反向流动时关闭FET。MX5050TL10R17可连接到5V至90V的电源，并可承受高达100V的瞬态电压。

• 宽电压输入5V~90V
• 内部集成了100V 260A的NMOSFET
• 超小VDS能够快速关断反向电流
• 采用了半导体的封装结构，可靠性高
• 宽工作输入电压范围VIN：5V至90V
• 集成100V 260A NMOS
• 为内部N沟道MOSFET提供电荷泵栅极驱动器
• 超小VDS关断电压可减少关断时间
• TOLL - 8封装

• 多电池包并联
• 电动工具
• 电动自行车/电动助力车
• 光伏储能
• 服务器冗余电源
• 冗余（N + 1）电源的有源OR-ing
• 单路防止电流倒灌应用
• 双路冗余应用