LMX5069TS15
内置15毫欧100V功率FET，集成了过压保护，过流保护，欠压保护，功率限制，短路保护的100V 电子保险丝
- 描述
- 内置1.7毫欧MOS集成了过压欠压，过流，短路和功率限制保护100v的E-fuse
- 商品型号
- LMX5069TS15
- 商品编号
- C53328956
- 商品封装
- ETSSOP-14
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 浪涌保护器 | |
| FET类型 | 内置FET | |
| 通道数 | - | |
| 阈值电压 | 55mV | |
| 触发电流 | - | |
| 工作电压 | 9V~80V | |
| 复位电压(Vreset) | - | |
| 安装方式 | 表面安装 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 拉电流(IOH) | - | |
| 灌电流(IOL) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 长度 | - | |
| 宽度 | - | |
| 高度 | - | |
| 功能特性 | 过流保护；欠压锁定；短路保护 |
商品概述
LMX5069TS15高端N沟道FET驱动器与内部MOSFET配合工作，可作为具有功率限制和过流保护功能的热插拔电路。该驱动器旨在控制在将电路板插入带电背板或其他热电源时流向负载的浪涌电流，从而限制背板电源电压的压降以及施加到负载的电压的dv/dt。
内部串联通道N沟道MOSFET的电流限制是可编程的。输入欠压锁定（UVLO）电平可通过电阻分压器网络进行编程。LMX5069TS15会以由定时器电容编程的固定占空比自动重启。
LMX5069TS15采用14引脚eTSSOP封装。
LMX5069TS15具有可编程电流限制功能，长时间的电流限制会导致串联通道器件关闭。在这种情况下，故障排除后，LMX5069TS15会无限次尝试恢复。断路器功能在检测到严重过流情况时会迅速关闭串联通道器件。可编程欠压锁定（UVLO）电路会在系统输入电压超出所需工作范围时关闭LMX5069TS15。
除了可编程电流限制外，LMX5069TS15还会监控并限制串联通道器件中的最大功耗，以确保其在器件安全工作区域内运行。长时间的电流限制或功率限制都会导致串联通道器件关闭。在这种情况下，故障排除后，LMX5069TS15会无限次尝试恢复。断路器功能在检测到严重过流情况时会迅速关闭串联通道器件。
当输入电源电压在可编程欠压锁定电平定义的工作范围内时，串联通道MOSFET会被启用。通常，VIN处的UVLO电平通过电阻分压器设置。当VIN低于UVLO电平时，UVLO处的内部5μA电流源被启用，OUT断开。随着VIN升高，UVLO处的电压超过2.5V时，UVLO处的5μA电流源关闭，UVLO处的电压升高，为该阈值提供迟滞。当UVLO引脚电压高于2.5V，且插入时间延迟已过，GATE引脚处的30μA电流源会开启OUT。VIN处的最小可能UVLO电平可通过将UVLO引脚连接到VIN来设置。在这种情况下，当VIN电压达到VINEN阈值时，OUT被启用。
有两种方法可配置UVLO以设置迟滞阈值。 选项A：如果必须精确定义两个阈值，可以使用下图。两个电阻值计算如下：使用公式5和公式6选择上UVLO阈值（VUVH）和下UVLO阈值（VUVL）。 R1 = (VUVH - VUVL) / 5μA = VUV(HYS) / 5μA R2 = (2.5V × R1) / (VUVL - 2.5V) 选项B：通过将UVLO引脚连接到VIN可获得最小UVLO电平。当VIN电压达到VINEN阈值时，Q1导通。可将外部晶体管连接到UVLO以提供远程关机控制。
LMX5069TS15的VIN工作范围为9V至80V。当VIN最初升高时，内部NMOSFET通过内部GATE处的230mA下拉电流保持关断。GATE引脚处的强下拉电流可防止在MOSFET的栅极至漏极电容充电时意外导通。此外，Timer引脚最初接地。当VIN电压达到VINSERT阈值时，插入时间开始。在插入时间内，Timer引脚处的电容由4μA电流源充电，无论VIN如何，内部MOS通过内部GATE处的2mA下拉电流保持关断。
商品特性
- 宽工作范围：9V ~ 80V
- 可调电流限制
- 针对严重过流事件的断路器功能
- 用于N沟道MOSFET的内部高端电荷泵和栅极驱动器
- 可调欠压锁定（UVLO）
- 具备自动重启功能
- 14引脚TSSOP封装
应用领域
- 服务器背板系统
- 基站配电系统
- 12 - 60V工业系统
- POE保护电路
- 固态断路器