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RL2305A
P沟道增强型场效应晶体管，采用沟槽功率LVMOSFET技术，具备低导通电阻、高速开关特性，适用于电池保护、负载开关和电源管理
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- 描述
- P沟道MOSFET，SOT-23封装 适用于功率放大和电源管理
- 品牌名称
- RUILON(瑞隆源)
- 商品型号
- RL2305A
- 商品编号
- C53286340
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0314克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 15V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 620mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.01nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 109pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 135pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±10V |
商品概述
- 沟槽功率低压MOSFET技术
- 用于低导通电阻的高密度单元设计
- 高速开关
- 湿度敏感度等级1
- 环氧树脂符合UL 94 V - 0阻燃等级
- 无卤
商品特性
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- 漏源电压（VDS）：-15V
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- 漏极电流（ID）：-5.6A
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- 栅源电压（VGS）为 -4.5V时，导通电阻（RDS(ON)）＜34毫欧
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- 栅源电压（VGS）为 -2.5V时，导通电阻（RDS(ON)）＜44毫欧
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- 栅源电压（VGS）为 -1.8V时，导通电阻（RDS(ON)）＜62毫欧
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 电源管理