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RS70BT7G4S09F引脚图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

RS70BT7G4S09F

128GB eMMC

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描述
晶存秒存128GB eMMC;三星V5晶圆 建议使用前先进行烘烤
品牌名称
Rayson(晶存)
商品型号
RS70BT7G4S09F
商品编号
C53224317
商品封装
BGA-153(11.5x13)​
包装方式
托盘
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录eMMC
NAND闪存类型-
协议版本eMMC 5.1
存储容量128GB
工作温度-25℃~+85℃
顺序读速度315MB/S
属性参数值
顺序写速度205MB/S
NAND工作电压(VCCF)2.7V~3.6V
控制器工作电压(VCCQ)2.7V~3.6V;1.7V~1.95V
NAND待机电流50uA
控制器待机电流100uA
功能特性垃圾回收功能;硬件复位功能;ECC纠错功能;掉电数据保护功能;内置磨损均衡功能;坏块管理功能;安全擦除功能;安全写保护功能

商品概述

RS70BT7G4S09F是一款嵌入式存储解决方案,兼容JEDEC标准eMMC5.1规范。内置强ECC引擎,显著提高纠错能力,延长设备寿命,并提高处理更高原始比特错误率的能力。由NAND闪存和eMMC控制器组成。控制器和软件直接管理NAND闪存,包括ECC、磨损均衡、坏块管理、垃圾回收和性能优化,并管理接口协议。该架构将NAND闪存的任何版本与eMMC主机隔离,使eMMC设备易于集成并加快上市时间。

商品特性

  • 兼容eMMC5.1规范,向后兼容eMMC4.41/4.51/5.0。
  • 总线模式:数据总线宽度1位(默认)、4位、8位;数据传输速率高达400MB/s(HS400);时钟频率0~200MHz。
  • 工作电压范围:VCC2.7-3.6V;VCCQ1.7-1.95V或2.7-3.6V。
  • 支持硬件ECC引擎、自动省电模式、防止突然断电。
  • 支持JEDEC标准定义的功能:RPMB、引导分区、写保护、擦除、丢弃、修剪、清理、HPI、后台操作、设备健康报告、现场固件更新(FFU)、睡眠/唤醒、打包命令。
  • 分区:初始包含两个引导分区、RPMB分区和用户数据区;引导和RPMB区域固定大小,不可调整。

应用领域

  • 嵌入式存储。
  • 适用于主机系统存储,可像MMC卡一样使用,无需关心NAND闪存管理。

数据手册PDF

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