- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
RS4G32LR4D8BNR-46BT
16GB LPDDR4
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- 描述
- 晶存16GB LPDDR4；长鑫晶圆 建议使用前先进行烘烤
- 品牌名称
- Rayson(晶存)
- 商品型号
- RS4G32LR4D8BNR-46BT
- 商品编号
- C53224318
- 商品封装
- BGA-200(10x15)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 同步动态随机存取内存(SDRAM) | |
| 存储容量 | 128Gbit | |
| 时钟频率(fc) | 2.133GHz | |
| 工作电压 | 1.7V~1.95V；570mV~650mV；1.06V~1.17V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | - | |
| 工作温度 | -25℃~+85℃ | |
| 工作电流 | - | |
| 刷新电流 | - |
商品特性
- 超低电压内核和输入/输出电源
- V_{DD1} = 1.70 - 1.95 V；1.80 V 标称值
- V_{DD2} = 1.06 - 1.17 V；1.10 V 标称值
- V_{DDQ} = 0.57 - 0.65 V；0.60 V 标称值
- 频率范围：2133-10 MHz（每引脚数据速率范围：4266-20 Mbps）
- 16n 预取双倍数据速率架构
- 每个通道8个内部存储体，支持并发操作
- 单倍数据速率命令/地址输入
- 每个字节通道双向/差分数据选通
- 可编程读取和写入延迟
- 可编程和动态突发长度（BL = 16， 32）
- 定向存储体刷新，支持并发存储体操作并简化命令调度
- 每芯片每16位通道高达8.53 GB/s
- 片上温度传感器，用于控制自刷新速率
- 部分阵列自刷新
- 可选输出驱动强度
- 时钟停止功能
- 符合RoHS标准的“绿色”封装
- V_{DD1}/V_{DD2}/V_{DDQ}：1.80 V/1.10 V/0.60 V
- 阵列配置：4G x 32（2通道 x 16 输入/输出）
- 封装内包含2G8 x 8芯片
- 细间距球栅阵列“绿色”封装：200球FBGA（10mm x 15mm x 1.1mm 最大值）
- 速度等级，周期时间：468ps@ RL = 36/40
- 工作温度范围：-25°C 至 +85°C