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- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HG24C128DQ2/TR
I²C兼容串行EEPROM，单电源电压，高速模式，低功耗CMOS技术，具备写保护和高可靠性
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- 描述
- I2C-Compatible Serial E2PROM
- 品牌名称
- HGSEMI(华冠)
- 商品型号
- HG24C128DQ2/TR
- 商品编号
- C53223756
- 商品封装
- DFN-8(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | EEPROM | |
| 接口类型 | I2C | |
| 存储容量 | 128Kbit | |
| 时钟频率(fc) | 1MHz；400kHz | |
| 写周期时间(Tw) | 5ms | |
| 数据保留 - TDR(年) | 100年 | |
| 写周期寿命 | 100万次 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 内置上电复位(POR)；硬件写保护功能；噪声抑制功能 | |
| 工作电压 | 1.7V~5.5V | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 工作电流 | 0.8mA | |
| 待机电流 | 3uA | |
| 读取访问时间(tA) | 0.9us |
商品概述
HG24C128是一款兼容I²C的串行EEPROM（电可擦除可编程存储器）器件。它包含一个128 Kbit（16 Kbyte）的存储阵列，组织为每页64字节。
商品特性
- 单电源电压和高速模式
- 最低工作电压低至1.7V
- 在1.7V至5.5V电压范围内支持400kHz/1 MHz时钟频率
- 低功耗CMOS技术
- 典型读取电流0.2mA（400kHz），典型写入电流0.8mA（400kHz）
- 施密特触发器、带滤波的输入用于噪声抑制
- 顺序和随机读取功能
- 页写入模式，允许部分页写入
- 整个存储阵列的写保护
- 附加的可写锁定页和128位序列号
- 自定时写入周期（最大5ms）
- 高可靠性：耐久性100万次写入周期，数据保持100年，ESD保护（HBM）6 kV，闩锁能力±200mA（25°C）
- 封装：DIP8、SOP8、TSSOP8、MSOP8、DFN-8、SOT23-5