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AT24C128DQ2/TR-HG实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

AT24C128DQ2/TR-HG

I2C兼容串行EEPROM,单电源电压和高速模式,低功耗CMOS技术,具备噪声抑制、读写功能和写保护

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描述
I2C-Compatible Serial E2PROM
品牌名称
HGSEMI(华冠)
商品型号
AT24C128DQ2/TR-HG
商品编号
C53223757
商品封装
DFN-8(2x2)​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录EEPROM
接口类型I2C
存储容量128Kbit
时钟频率(fc)1MHz;400kHz
写周期时间(Tw)5ms
数据保留 - TDR(年)100年
写周期寿命100万次
属性参数值
功能特性噪声抑制功能;内置上电复位(POR);硬件写保护功能
工作电压1.7V~5.5V
工作温度-40℃~+125℃
工作电流0.8mA
待机电流3uA
读取访问时间(tA)900ns

商品概述

AT24C128是一款兼容I²C的串行EEPROM(电可擦可编程存储器)器件。它包含一个128 Kbit(16 Kbyte)的存储阵列,按每页64字节组织。

商品特性

  • 单电源电压与高速模式
  • 最低工作电压低至1.7V
  • 在1.7V至5.5V电压范围内支持400kHz/1 MHz时钟
  • 低功耗CMOS技术
  • 典型读取电流0.2mA(400kHz),典型写入电流0.8mA(400kHz)
  • 施密特触发器,带滤波输入以抑制噪声
  • 支持顺序与随机读取功能
  • 支持页写入模式,允许部分页写入
  • 提供对整个存储阵列的写保护
  • 提供额外可写锁定的页面和128位序列号
  • 自定时写入周期(最大5ms)
  • 高可靠性:耐久性100万次写入循环,数据保持100年,ESD保护(HBM)6 kV,闩锁承受能力±200mA(25°C)
  • 封装:DIP8、SOP8、TSSOP8、MSOP8、DFN-8、SOT23-5

应用领域

  • 消费电子
  • 工业系统
  • 汽车系统
  • 通信系统
  • 医疗设备

数据手册PDF