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HT80N10ARDZ
N沟道碳化硅MOSFET，具备高效散热、高抗电磁干扰能力、高速开关、高阻断电压、易驱动并联等特性
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- 描述
- 高压型650V平台12A的NMC技术碳化硅器件
- 品牌名称
- HTCSEMI(海天芯)
- 商品型号
- HT80N10ARDZ
- 商品编号
- C53223708
- 商品封装
- PDFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 850V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 耗散功率(Pd) | 52W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10.6nC | |
| 输入电容(Ciss) | 208pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 18pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 400mΩ |
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