- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HT80N15ARDZ
800V N沟道碳化硅MOSFET，低电容高速开关，高耐压低导通电阻，抗EMI能力强，易于驱动和并联
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- 描述
- 高压型650V平台15A的NMC技术碳化硅器件
- 品牌名称
- HTCSEMI(海天芯)
- 商品型号
- HT80N15ARDZ
- 商品编号
- C53223709
- 商品封装
- PDFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 耗散功率(Pd) | 52W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.2nC | |
| 输入电容(Ciss) | 180pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 20pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 300mΩ |
商品特性
- 有效降低结温和热阻，具备高抗电磁干扰能力
- 低电容实现高速开关
- 高阻断电压与低导通电阻
- 易于驱动和并联
- 符合RoHS标准
应用领域
- 功率因数校正模块
- 开关模式电源
- 功率逆变器
- 高压转换器