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DMTH10H1M5STTWQ-13-VB
N沟道；电压：100V；电流：415A；导通电阻：1.2(mΩ)
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- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- DMTH10H1M5STTWQ-13-VB
- 商品编号
- C53206765
- 商品封装
- TOLT-16
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.54克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 415A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 455W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 130nC | |
| 输入电容(Ciss) | 11.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 18pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 3.246nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 采用SGT技术功率MOSFET
- 最高结温175°C
- 100% Rθ和UIS测试
- 符合RoHS标准
- 无卤素
应用领域
- 不间断电源
- AC/DC开关模式电源
- 照明
- 同步整流
- DC/DC转换器