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AT24C02MT/TR-HG
I2C兼容串行EEPROM，单电源电压和高速模式，低功耗CMOS技术，具备噪声抑制、读写功能和写保护
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- 描述
- I2C-Compatible Serial E2PROM
- 品牌名称
- HGSEMI(华冠)
- 商品型号
- AT24C02MT/TR-HG
- 商品编号
- C53200138
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.166克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | EEPROM | |
| 接口类型 | I2C | |
| 存储容量 | 2Kbit | |
| 时钟频率(fc) | 1MHz | |
| 写周期时间(Tw) | 5ms | |
| 数据保留 - TDR(年) | 100年 | |
| 写周期寿命 | 100万次 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 内置上电复位(POR)；硬件写保护功能；噪声抑制功能 | |
| 工作电压 | 1.7V~5.5V | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 工作电流 | 0.8mA | |
| 待机电流 | 3uA | |
| 读取访问时间(tA) | 0.55us |
商品概述
AT24C02是一款I²C兼容的串行EEPROM（电可擦除可编程存储器）器件。它包含一个2K位（256字节）的存储器阵列，按每页8字节进行组织。
商品特性
- 单电源电压和高速模式
- 在1.7V至5.5V电压范围内支持400kHz/1MHz时钟频率
- 低功耗CMOS技术
- 读取电流0.2mA（400kHz，典型值）
- 写入电流0.8mA（400kHz，典型值）
- 施密特触发器，带滤波输入以抑制噪声
- 顺序和随机读取功能
- 页写入模式，允许部分页写入
- 对整个存储器阵列进行写保护
- 自定时写入周期（最大5ms）
- 高可靠性
- 耐久性：100万次写入周期
- 数据保持：100年
- ESD HBM：4 kV
- 闩锁能力：±200mA（25°C）
- 封装：DIP8、SOP8、TSSOP8、DFN-8 3×3、MSOP8、SOT-23-5、DFN-8 2×2