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AT24C256MT/TR-HG
I²C兼容串行EEPROM，单电源电压，支持快速和高速模式，低功耗CMOS技术
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- 描述
- I2C-Compatible Serial E2PROM
- 品牌名称
- HGSEMI(华冠)
- 商品型号
- AT24C256MT/TR-HG
- 商品编号
- C53200142
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.16476克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | EEPROM | |
| 接口类型 | I2C | |
| 存储容量 | 256Kbit | |
| 时钟频率(fc) | 3.4MHz | |
| 写周期时间(Tw) | 5ms | |
| 数据保留 - TDR(年) | 200年 | |
| 写周期寿命 | 1000万次 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 内置上电复位(POR)；页写保护功能；硬件写保护功能；内置错误纠正码(ECC)功能 | |
| 工作电压 | 1.7V~5.5V | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 工作电流 | 3mA | |
| 待机电流 | 12uA | |
| 读取访问时间(tA) | 0.9us |
商品概述
AT24C256是一款I2C兼容的串行EEPROM（电可擦除可编程存储器）器件。它包含一个256 Kbit（32 K字节）的存储器阵列，该阵列按每页64字节进行组织。
商品特性
- 单电源电压，支持快速和高速模式
- 最低工作电压低至1.7V
- 在1.7V至5.5V电压范围内支持400 kHz/1 MHz/3.4 MHz时钟
- 低功耗CMOS技术
- 读取电流0.3mA（5.5V，400 kHz，典型值）
- 施密特触发器，具有滤波输入以抑制噪声
- 在每组四个字节上具有透明ECC，可纠正1位错误
- 对整个存储器阵列进行写保护
- 附加的可写锁定页面（标识页面）
- 附加的128位序列号
- 顺序和随机读取功能
- 64字节页写模式，允许部分页写入
- 自定时写周期（最大5ms）
- 高可靠性
- 耐久性：1000万次写循环
- 数据保持：200年
- HBM：6 kV
- 闩锁能力：±200 mA（25°C）
- 封装：DIP-8，SOP-8，TSSOP-8，MSOP-8，DFN-8，SOT-23-5