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BKW65N050HS1
650V 80A
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- 描述
- IGBT单管，650V, 50A
- 商品型号
- BKW65N050HS1
- 商品编号
- C53152697
- 商品封装
- TO247-3L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.156667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 403W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 80A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 200A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.4V@50A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4V@500uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 135nC@50A,15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 4.146uF@25V | |
| 输出电容(Coes) | 166pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 9.7pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 20.5ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 155.4ns | |
| 导通损耗(Eon) | 1.3mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 750uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 73.8ns | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ |
商品概述
BKW65N050HS1 是一款采用沟槽场截止型技术的绝缘栅双极晶体管，它利用了先进的功率技术，实现了极低的栅极电荷。通过优化的栅极电荷管理，它实现了显著更高的效率，同时其用户友好的设计为设计人员提供了诸如低电磁干扰和降低开关损耗等优势。
商品特性
- 最高结温 Tjmax = 175°C
- 低饱和电压 VCEsat = 1.4 V（在 Tj = 25°C 时），VCEsat 具有正温度系数，适用于并联应用
应用领域
- 谐振变换器
- 不间断电源
- 焊接电源变换器
- BC25SG65SWS
- BCZ120N16M1
- 19170201347
- ST-white-1
- 903-231A1011D10100
- 918-418K2022S40002
- ZB620M-20S3BP-B*D
- ZB50052-24DBAP-A
- ZB58001-24FBAP-A
- ZB620M-20S3BP-B*C
- ZB58002-24FBAP-A
- ZB50062-24DBAP-A
- ZB58003-24FBAP-A
- ZB50016-24SBAP-A
- ZB48077-16DBAP-A
- ZB702F-20S3BP-B*
- JMS17
- U74LVC1G175G-AL6-R
- U74AUP1G04G-AL5-R
- U74AHC1G79G-AL5-R
- UTXB0104G-UEB-R