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FF150R12KS4
4件套 1.2kV 225A
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- 描述
- 特性：高短路能力，自限短路电流。 低开关损耗。 高可靠性。 VCESat具有正温度系数。 封装CTI > 400。 高爬电距离和电气间隙。应用：高频开关应用。 医疗应用
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- FF150R12KS4
- 商品编号
- C540932
- 商品封装
- 螺栓安装
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 337克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25kW | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 225A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 300A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 3.7V@150A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4.5V@6mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.6uC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 11nF | |
| 输出电容(Coes) | - | |
| 反向传输电容(Cres) | 500pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 100ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 530ns | |
| 导通损耗(Eon) | 14.5mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 11mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |