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BSS84ES
P沟道增强型MOSFET，低导通电阻、高速开关、驱动电路简单、易于并联使用
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- 品牌名称
- GME(银河微电)
- 商品型号
- BSS84ES
- 商品编号
- C53133589
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.5nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 53pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 11pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 低导通电阻
- 高速开关
- 驱动电路简单
- 易于并联使用
- 人体模型(HBM):JESD22 - A114 - B:2
- 符合RoHS标准且无卤
应用领域
-P沟道增强型效应晶体管-开关应用
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