立创商城logo
购物车0
DMZ11C55EA实物图
  • DMZ11C55EA商品缩略图
  • DMZ11C55EA商品缩略图
  • DMZ11C55EA商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DMZ11C55EA

增强型MOSFET

SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
描述
耗尽型MOSFET_N-Channel _600V_600Ω_0.02A_SOT-23
品牌名称
ARK(方舟微)
商品型号
DMZ11C55EA
商品编号
C53133424
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.068克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)20mA
导通电阻(RDS(on))600Ω@0V
耗散功率(Pd)500mW
阈值电压(Vgs(th))-
栅极电荷量(Qg)560pC
属性参数值
输入电容(Ciss)11.4pF
反向传输电容(Crss)3.5pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)7.7pF
栅极电压(Vgs)±20V

商品特性

  • 耗尽型(常开)
  • 无二次击穿
  • 专有先进平面技术
  • 坚固的多晶硅栅单元结构
  • 增强的静电放电(ESD)能力
  • 高输入阻抗
  • 符合RoHS标准
  • 可提供无卤产品

应用领域

  • 启动电路
  • 常开开关
  • 恒流源
  • 电源电路

数据手册PDF