- 引脚图
- 焊盘图
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IMT65R083M1H-VB
漏极源极电压VDS(V)：650V；电流：35A；导通电阻：55(mΩ)
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IMT65R083M1H-VB
- 商品编号
- C53133345
- 商品封装
- TOLL-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 耗散功率(Pd) | 192W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 90pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ |