SCT040W65G3-4-VB
漏极源极电压VDS(V)：650V；电流：40A；导通电阻：50(mΩ)
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- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SCT040W65G3-4-VB
- 商品编号
- C53132910
- 商品封装
- TO-247-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 耗散功率(Pd) | 187W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 90nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 175pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ |
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