- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STGB4M65DF2-VB
集射极击穿电压(Vces):600/650(V)；集电极电流(Ic)：7A栅极阈值电压(Vge(th))：1.65V@ VGE=15V
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- STGB4M65DF2-VB
- 商品编号
- C53132570
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 58W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 14A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 21A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.7V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 990pF | |
| 输出电容(Coes) | 74pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 21pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 45ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 117ns | |
| 导通损耗(Eon) | - | |
| 关断损耗(Eoff) | - | |
| 反向恢复时间(Trr) | 59ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
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