- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AOB10B60D-VB
集射极击穿电压(Vces):600/650(V)；集电极电流(Ic)：10A栅极阈值电压(Vge(th))：1.7V@ VGE=15V
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- AOB10B60D-VB
- 商品编号
- C53132582
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 72W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 20A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 30A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.7V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 1.4nF | |
| 输出电容(Coes) | 87pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 28pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 47ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 124ns | |
| 导通损耗(Eon) | - | |
| 关断损耗(Eoff) | - | |
| 反向恢复时间(Trr) | 62ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
- STGB15H60DF-VB
- STGB15M65DF2-VB
- NGTB50N60L2WG-VB
- AFGB30T65RQDN-VB
- STGB30H60DFB-VB
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- FGH50N6S2D-VB
- NGTB60N60SWG-VB
- NGTB60N65FL2WG-VB
- STGWA50M65DF2-VB
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- STGW60V60DF-VB
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- STGWA60V60DWFAG-VB
- AOK50B65M2-VB
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- AIKW20N60CT-VB
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- STGB15H60DF-VB
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