AIKW50N65DH5-VB
集射极击穿电压(Vces):600/650(V)；集电极电流(Ic)：60A栅极阈值电压(Vge(th))：1.7V@ VGE=15V
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- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- AIKW50N65DH5-VB
- 商品编号
- C53132541
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 450W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 120A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 180A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.8V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 165nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 6.21nF | |
| 输出电容(Coes) | 228pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 60pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 72ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 170ns | |
| 导通损耗(Eon) | - | |
| 关断损耗(Eoff) | - | |
| 反向恢复时间(Trr) | 60ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
- AIGW50N65F5-VB
- AIKW50N65DF5-VB
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