商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET;IGBT | |
| 灌电流(IOL) | 600mA | |
| 拉电流(IOH) | 300mA | |
| 工作电压 | 10V~20V | |
| 上升时间(tr) | 75ns | |
| 下降时间(tf) | 35ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 传播延迟 tpLH | 730ns | |
| 传播延迟 tpHL | 130ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输入高电平(VIH) | 2.8V | |
| 输入低电平(VIL) | -300mV~1V | |
| 静态电流(Iq) | 100uA | |
| 功能特性 | 欠压保护 |
- EG2105D
- CAVC2T245QRSWRQ1
- TPSM65630SVCGR
- 8930E-068-178MS-F
- 2446122-2
- 2395934-1
- 4-2418600-1
- 3-2445760-1
- SLSD0295
- SCEYS16X00000YEPM
- SCEYS24X00000LBPM
- SCEYS24X00000YBPM
- SCEYS25X00000YEPM
- SCEYS25X00000YBPM
- SCEYS25X00000ELPM
- SCEYS26X00000QWPM
- SCEYS26X00000YEPM
- SCEYS27X00000YLPM
- SCEYS32X00000YEPM
- SCEYS37X40000YEPM
- SCEYS40X00000LFPM


