CM8301-DFNTA
双通道理想二极管,具备ORing或负载均分功能,低损耗、低正向导通电阻、低反向漏电流、低正向压降
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- 描述
- 集成双通道理想二极管芯片,每个通道能够支持2.5V至5.5V的输入电压范围,并提供高达2.6A的输出电流,(–40°C~85°C)
- 品牌名称
- CIMO(士模微)
- 商品型号
- CM8301-DFNTA
- 商品编号
- C53099975
- 商品封装
- DFN-10(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
该器件是一款集成双通道理想二极管芯片,每个通道支持2.5V至5.5V的输入电压范围,并提供高达2.6A的输出电流。每个二极管通道通过一个70mΩ的P沟道MOSFET实现,分别连接INA至OUTA以及INB至OUTB。在正常工作状态下,每个二极管的正向压降可低至18mV。当负载电流达到100mA时,静态电流低于25µA。若任一输出电压超过其对应输入电压,相应的MOSFET将自动关闭,此时从输出端到输入端的反向电流小于1µA。每个MOSFET的最大正向电流被限制在恒定的2.6A,同时内部过热保护电路可在故障条件下确保芯片安全。该器件配备了两个高电平有效的控制管脚,可独立关闭内部的两个理想二极管通道。当所选通道反向偏置或器件进入低功耗待机模式时,状态信号会以低电压指示该状态。该器件还提供了一个12µA的开漏STAT管脚,用于指示二极管的导通状态。当STAT管脚通过470kΩ电阻上拉至正电源时,高电平表示所选二极管处于导通状态。该信号还可用于驱动外部辅助P沟道MOSFET电源开关,以便在该器件不导通时控制第三路备用电源。该器件采用DFN10型封装,其工作温度范围为–40°C~85°C。
商品特性
- 双通道理想二极管ORing或负载均分
- ORing二极管的低损耗替代方案
- 低正向导通电阻:典型值为70mΩ(3.6V)
- 低反向漏电流:最大值为1μA
- 低正向压降:典型值为18mV
- 工作电压范围:2.5V~5.5V
- 最大正向电流:2.6A
- 慢速开关特性,防止感性源阻抗引起的电压尖峰
- 超低静态电流
- 导通状态输出管脚(指示选定通道是否导通)
- 可编程通道开/关控制
- 限流保护和过热保护
- DFN10 3mm × 3mm 封装
应用领域
- 手持设备电源ORing
- 备用电池ORing
- 电源切换
- USB外设
- 不间断电源
- CM4104-SOPTA
- 40x30x4.8cm
- 50x35x4.8cm
- GT-B0804MSV33-10S1101
- GT-B0804MSV33-12S1101
- GT-B0804MSV33-14S1101
- GT-B0804MSV33-16S1101
- GT-B0804MSV33-20S1101
- GT-B0804MSV33-30S1101
- GT-B0804MSV33-40S1101
- GT-B0804MSV33-50S1101
- GT-B0804FSV29-10S1101
- GT-B0804FSV29-12S1101
- GT-B0804FSV29-14S1101
- GT-B0804FSV29-16S1101
- GT-B0804FSV29-20S1101
- GT-B0804FSV29-30S1101
- GT-B0804FSV29-40S1101
- GT-B0804FSV29-50S1101
- GT-TD036B-H030-L05
- GT-TB037A-H026-L2

