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HD304N120S
N沟道MOSFET，低导通电阻，快速开关速度，适用于DC-DC转换器和电源管理
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- 品牌名称
- R+O(宏嘉诚)
- 商品型号
- HD304N120S
- 商品编号
- C53055312
- 商品封装
- PDFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.174183克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.049nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 108pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 124pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 40V
- 漏极电流(ID) = 30 A
- 栅源电压(VGS) = 10 V时,导通电阻(RDS(on)) < 12 mΩ
- 栅源电压(VGS) = 4.5 V时,导通电阻(RDS(on)) < 18 mΩ
- 低导通电阻
- 快速开关速度
应用领域
- 直流-直流转换器
- 电源管理