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HL3134KD
HL3134KD
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- 品牌名称
- R+O(宏嘉诚)
- 商品型号
- HL3134KD
- 商品编号
- C53055315
- 商品封装
- DFN1006-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.017978克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 750mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 190mΩ@4.5V,0.65A | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 750mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.24nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 68pF@16V | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF@16V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 漏源极电压（VDSS） = 20 V
- 漏极电流（ ID） = 0.75 A
- 栅源电压（VGS） = 4.5 V时，导通电阻（RDS(on)） < 300 mΩ
- 栅源电压（VGS） = 2.5 V时，导通电阻（RDS(on)） < 400 mΩ
- 低阈值电压
- 快速开关速度
应用领域
- 便携式设备的负载开关-电压控制小信号开关