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WML20N60DC引脚图
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WML20N60DC

WML20N60DC

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商品型号
WML20N60DC
商品编号
C53054779
商品封装
TO-220F​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)20A
导通电阻(RDS(on))340mΩ@10V
耗散功率(Pd)85W
阈值电压(Vgs(th))4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)51nC
输入电容(Ciss)3.1nF
反向传输电容(Crss)11pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)255pF
栅极电压(Vgs)±30V

商品概述

WMOS D系列是韦尔(Wayon)的第一代垂直双扩散金属氧化物半导体(VDMOS)产品家族,它显著降低了导通电阻,并具有超低栅极电荷,适用于需要高功率密度和高效率的应用。该系列产品性能稳定,且符合RoHS标准。

商品特性

  • 典型值:VGS=10V时,RDS(on)=0.34Ω
  • 100%经过雪崩测试
  • 符合RoHS标准

应用领域

-开关电源(SMPS)-充电器-直流-直流转换器(DC-DC)

数据手册PDF