嘉立创上市
购物车0
WML13N50D1B引脚图
  • 引脚图
  • 焊盘图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

WML13N50D1B

WML13N50D1B

SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
商品型号
WML13N50D1B
商品编号
C53054781
商品封装
TO-220F​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)500V
连续漏极电流(Id)13A
导通电阻(RDS(on))430mΩ@10V
耗散功率(Pd)45W
阈值电压(Vgs(th))2V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)31nC
输入电容(Ciss)1.633nF
反向传输电容(Crss)14pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)151pF
栅极电压(Vgs)±30V

商品概述

WMOS D1是第一代垂直双扩散金属氧化物半导体(VDMOS)产品系列,显著降低了导通电阻,并具有超低栅极电荷,适用于需要高功率密度和高效率的应用。该产品性能稳定且符合RoHS标准。

商品特性

  • 典型值:当VGS = 10 V时,RDS(on) = 0.43 Ω
  • 经过100%雪崩测试
  • 符合RoHS标准

应用领域

  • 开关电源(SMPS)
  • 充电器
  • 直流-直流转换器(DC-DC)

数据手册PDF