RB168LAM100TR-HXY

RB168LAM100TR-HXY

描述

该肖特基二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为2A，最大反向电压（VR）达100V。其正向压降（VF）为0.85V，在导通状态下维持较低功耗；反向漏电流（IR）仅为20μA，展现出优异的反向截止性能。器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于存在突发大电流的电路条件。典型用途包括电源整流、高频开关电路中的续流路径以及直流供电系统的极性保护等。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

RB168LAM100TR-HXY

商品编号

C52988750

商品封装

SMAF​

包装方式

编带

商品毛重

1克(g)