RB088LAM-40TFTR-HXY

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描述: 该肖特基二极管为独立式结构，额定平均正向电流（IF）为5A，反向重复峰值电压（VR）为40V。其正向压降（VF）低至0.55V，有助于降低导通损耗；反向漏电流（IR）为500μA，在正常工作条件下维持良好的阻断性能。器件具备高达150A的正向浪涌电流能力（IFSM），适用于高频整流、开关电源输出端、电池保护电路及各类对效率和热性能敏感的电子系统中，能够有效支持稳定可靠的运行。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: RB088LAM-40TFTR-HXY
商品编号: C52988757
商品封装: SMAF
包装方式: 编带
商品毛重: 0.0515克(g)

商品参数