MBRS3100T3G-HXY

MBRS3100T3G-HXY

描述

该肖特基二极管采用独立式配置，具有3A的平均正向电流（IF）和100V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为0.85V，在导通状态下能量损耗较低；反向漏电流（IR）仅为20μA，表现出良好的反向截止特性。器件可承受高达80A的非重复浪涌正向电流（IFSM），适用于高频整流、电源转换及对效率与热管理有要求的电子电路中。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

MBRS3100T3G-HXY

商品编号

C52988708

商品封装

SMC​

包装方式

编带

商品毛重

0.284克(g)