VSMBRS360-M3/9AT-HXY

VSMBRS360-M3/9AT-HXY

描述

该肖特基二极管采用独立式配置，具有3A的额定正向电流（IF）和60V的最大反向电压（VR）。其正向压降（VF）为0.7V，在导通时可有效控制功耗；反向漏电流（IR）为100μA，表明在反向偏置下具备良好的阻断能力。器件能承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于高频整流、电源转换输出级以及需要低损耗与快速响应的电子电路中。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

VSMBRS360-M3/9AT-HXY

商品编号

C52988725

商品封装

SMC​

包装方式

编带

商品毛重

0.289克(g)