B1100Q-13-F-HXY

B1100Q-13-F-HXY

描述

该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为1A，最大反向电压（VR）为100V，正向压降（VF）典型值为0.85V，有助于降低导通损耗。在最大反向电压下，其反向漏电流（IR）不超过100μA，具备良好的阻断性能。器件可承受高达30A的非重复峰值浪涌电流（IFSM），适用于高频整流、开关电源输出级、便携式设备电源管理及各类低电压高效率电路中。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

B1100Q-13-F-HXY

商品编号

C52988588

商品封装

SMA​

包装方式

编带

商品毛重

0.083838克(g)